Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的 0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。